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SQM50P03-07-GE3相关型号
Vishay(威世)热销型号

  • SE40N3GHM3/I

    Vishay 4A 400V, 贴片安装, DFN33A封装, 7针, SE40N3GHM3/I

  • VS-E7FX0212-M3/I

    Vishay 2A 1200V超高速二极管, 贴片安装, DO-219AB封装, 2针, VS-E7FX0212-M3/I

  • V3N22-M3/I

    Vishay 3A 200V肖特基二极管, 贴片安装, DFN3820A封装, 2针, V3N22-M3/I

  • PA16FNP102MA

    Vishay 电位器旋钮, 13.5mm轴, 圆形轴, Φ22mmx18mm高旋钮, 黑色

  • VEMD4080X02

    Vishay 870nm可见光PIN光电二极管, 2p, 0805封装, 硅, VEMD4080X02

  • T6N24CAHM3/I

    Vishay 双向ESD保护二极管, 贴片安装, 最大钳位33.2V, 最小击穿22.8V, DFN3820A封装, 单路配置, T6N24CAHM3/I

  • T6N30CAHM3/I

    Vishay 双向ESD保护二极管, 贴片安装, 最大钳位41.4V, 最小击穿28.5V, DFN3820A封装, 单路配置, T6N30CAHM3/I

  • 6DFN82CA-M3/I

    Vishay 双向ESD保护二极管, 贴片安装, 最大钳位113V, 最小击穿77.9V, DFN3820A封装, 单路配置, 6DFN82CA-M3/I

图片仅供参考，请参考产品描述

  • SQM50P03-07-GE3

  • 制造商：Vishay
  • 批号：23+
  • 描述：Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 50 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, SQM50P03-07_GE3
  • PDF下载：
  • 库存数量：5

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详细参数

  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流50 A
  • 最大漏源电压30 V
  • 系列SQ Rugged
  • 封装类型D2PAK (TO-263)
  • 安装类型贴片
  • 引脚数目3
  • 最大漏源电阻值11 mΩ
  • 通道模式增强
  • 最小栅阈值电压1.5V
  • 最大功率耗散150 W
  • 晶体管配置单
  • 最大栅源电压-20 V、+20 V
  • 每片芯片元件数目1
  • 晶体管材料Si
  • 最高工作温度+175 °C
  • 宽度9.652mm
  • 典型栅极电荷@Vgs103.5 nC @ 10 V
  • 长度10.41mm
  • 高度4.826mm
  • 最低工作温度-55 °C

其它信息

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